Solfegio Forum
pengaruh bias basis final tidak seimbang - Printable Version

+- Solfegio Forum (https://solfegio.com)
+-- Forum: Sound System (https://solfegio.com/forumdisplay.php?fid=4)
+--- Forum: Power Amplifier (https://solfegio.com/forumdisplay.php?fid=21)
+--- Thread: pengaruh bias basis final tidak seimbang (/showthread.php?tid=12751)

Pages: 1 2 3 4 5 6


RE: pengaruh bias basis final tidak seimbang - ahmadsamodra1 - 20-09-2013

pengaruh bias basis final tidak seimbang ?nek ati ora marem .driver panas sebelah,suara tetep jemblegur


RE: pengaruh bias basis final tidak seimbang - widyo - 20-02-2014

nyimak aje


RE: pengaruh bias basis final tidak seimbang - bimo_tok - 20-02-2014

Aku baru2 ini nanya tentang arus bias pada transistor output di forum luar.
Menurut Dr. Bernard M. Oliver (vice president Hewlett-Packard bagian R & D, dia menulis jurnal tentang hal ini) cacat crossover paling kecil pada ampli class B saat re = RE. re adalah resistansi internal emitor pada 25 derajat C dan RE adalah resistor pada emitor transistor output. Jadi arus bias idealnya adalah 26mV/RE atau saat tegangan pada RE = 26mV.
Menurut Bob Cordell (penulis buku ttg amplifier), resistor basis (jika ada) dan resistansi kaki emitor perlu dihitung jadi arus bias sedikit kurang dari 26mV/RE.
Menurut Ostripper (yg mendisain Honey Badger), arus bias yang optimum tergantung dari tehnologi pembuatan transistor, jadi jika tehnologinya berbeda arus biasnya berbeda.
Jika arus bias kurang dari optimumnya, kecepatan switching transistor ouputnya jadi berkurang. Jika arus bias melebihi optimumnya, terjadi "gm doubling". Sebagian perancang lebih suka arus bias lebih sedikit di atas optimumnya, karena tidak mengalami masalah switching.
Kalau punya distortion meter tinggal atur arus bias sampai didapatkan cacat yang paling kecil.
Arus bias tidak sama karena VBE tidak sama. Aku mengalami hal ini. 3 pasang transistor output ada satu yang VBE lebih rendah daripada yang lain jadi arus biasnya tinggi sendiri.
Aku simulasikan 2 transistor yang beda hFE diparalel, yang kerja lebih berat yang hFE nya lebih kecil.


RE: pengaruh bias basis final tidak seimbang - nafiri - 20-02-2014

re bukannya resistansi internal emitor transistor mas Bimo?


RE: pengaruh bias basis final tidak seimbang - didiet78 - 20-02-2014

Jadi re Rin C atau E, atau malah R bayangan yang nilai didapat secara arbitari ?

Didiet


RE: pengaruh bias basis final tidak seimbang - samsi - 21-02-2014

nyimak aja dulu...


RE: pengaruh bias basis final tidak seimbang - bimo_tok - 21-02-2014

(20-02-2014, 07:59 PM)nafiri Wrote: re bukannya resistansi internal emitor transistor mas Bimo?

iya bener, saya salah tulis.... sudah saya edit

(20-02-2014, 10:11 PM)didiet78 Wrote: Jadi re Rin C atau E, atau malah R bayangan yang nilai didapat secara arbitari ?

Didiet

Ngga ngerti maksudnya.


RE: pengaruh bias basis final tidak seimbang - Imhdin - 26-02-2014

Pak @bimo_tok , 26mV itu diukur Dari RE ke out atau RE ke Gnd ?


RE: pengaruh bias basis final tidak seimbang - yudinori - 26-02-2014

Ikut nyimak


RE: pengaruh bias basis final tidak seimbang - bimo_tok - 26-02-2014

(26-02-2014, 07:33 AM)Imhdin Wrote: Pak @bimo_tok , 26mV itu diukur Dari RE ke out atau RE ke Gnd ?

26mV diukur dari kedua kaki RE (tegangan dari RE).