18-04-2014, 08:32 AM
Penguatan arus yang besar setelah VAS adalah salah satu syarat mutlak untuk mendapatkan cacat harmonik yang kecil pada beban impedansi rendah (kurang dari 4 Ohm).
Triple emitter follower adalah salah satu contohnya. Karena makin kecil impedansi yang membebani VAS, makin besar cacat harmoniknya.
Perkecualian untuk Mosfet sebagai transistor finalnya, karena impedansi gate mosfet sangat tinggi. Cacat harmonik yang bertambah pada impedansi rendah sebagian besar karena karakteristik dari mosfet bukan karena efek pembebanan VAS.
Triple emitter follower adalah salah satu contohnya. Karena makin kecil impedansi yang membebani VAS, makin besar cacat harmoniknya.
Perkecualian untuk Mosfet sebagai transistor finalnya, karena impedansi gate mosfet sangat tinggi. Cacat harmonik yang bertambah pada impedansi rendah sebagian besar karena karakteristik dari mosfet bukan karena efek pembebanan VAS.