09-09-2014, 01:47 PM
(09-09-2014, 10:38 AM)gantex Wrote: Dengan cara seperti itu apakah diharapkan agar vas tidak overload sehingga thd tidak menjadi tinggi ?
Salah satu penyebab timbulnya cacat di VAS karena adanya pembebanan VAS. Makin kecil impedansi beban VAS makin besar THD nya.
Selain itu beban yang tidak linier (tidak murni resistansi) juga menyebabkan THD naik.
Early voltage pada transistor VAS menyebabkan THD pada frekuensi rendah.
Cob (capacitance basis-colector) pada transistor VAS menyebabkan THD pada frekeunsi tinggi.
Jadi penyebab adanya THD di VAS macam2.
