29-10-2014, 11:02 AM
Gambar diatas adalah cara kerja dari tegangan bias atau VBE multiplier.
Kalau outputnya adalah double emitter follower membutuhkan 4x VBE. Kalau triple emitter follower (TEF) membutuhkan 6x VBE.
Apa tegangan bias hanya perlu di atur perbandingan resistor R1 dan R2 agar VCE nya menjadi 4x atau 6x? Tidak.
1. Arus emitor dari VBE multiplier tidak sama besarnya dengan arus emitor di transistor pre-driver (kalau TEF), driver, dan final. Jadi tegangan VBE nya beda.
2. Transistor yg satu tipe saja karakteristik VBE terhadap arus emittor ngga sama persis apalagi yang beda tipe.
3. Cacat crossover yang minimal tidak bisa diukur dgn mengukur VBE-nya, karena tiap2 transistor beda karakteristik VBE nya. Tapi diukur pada arus kolektor atau arus emitornya.
Untuk pengaturan arus bias yang presisi selalu memerlukan trimpot pada R1 atau R2. Lebih jelasnya baca artikel di atas.
